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RZD450型磁控濺射鍍膜系統

發布時間:2017/07/03
RZD450型磁控濺射鍍膜系統

  簡介:
  RZD450型單室磁控濺射可用于各種半導體的制備,為四靶單樣品共濺射結構,可以生長單層膜、多層膜、復合膜、介質膜及鐵電微晶薄膜。
  主要技術指標:
  1、極限真空度:8×10-5Pa,恢復真空:抽至7×10-4Pa的時≤40分鐘,關機12小時真空度≤5Pa;
  2、真空室:尺寸約?450×450mm,材料:304不銹鋼;
  3、在3英寸范圍內膜厚均勻性優于±5%,重復性優于±5%;
  4、基片尺寸:直徑3英寸;
  5、基片加熱溫度:500℃,控溫精度±1℃;
  6、基片:基片轉速0~60轉/分,計算機控制,可控可調,;
  7、平面磁控靶:直徑?60mm,數量:4支。2支安裝普通金屬靶材或者半導體材料,靶材厚度為6mm,2支永磁靶可鍍制鐵磁性材料,靶材厚度為3mm,帶水冷,直流電源及射頻電源兼容,與基片的距離50~100mm毫米連續可調;
  8、濺射靶電源:直流電源2臺:功率:0~500W;射頻電源2臺:功率500w,配匹配器;
  9、配備膜厚控制儀和探頭0~9.9999μm,速率范圍0~999.9?/s,膜層數量0~257;
  10、氣體控制:氣體流量通過質量流量計控制,一路氬氣,另一路氮氣,流量均為100sccm;質量流量控制儀一臺,一拖二形式;
  11、系統配循環水冷機,冷卻功率≥1.5KW。具有缺水欠壓保護裝置,強電缺相保護,超溫報警顯示等,突然斷電維持真空室內的真空狀態,保護分子泵。
  結構系統組成:
  采用立式上蓋升降方式,磁控靶在下,樣品架在上,自下向上沉積方式成膜。該系統主要由真空室系統、真空抽氣及真空測量系統、氣路系統、磁控濺射靶及電源系統、樣品臺系統、電控系統及輔助系統等組成
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